3UA50 40-1B/1.25-2A 熱繼電器

• 規(guī)格：3UA50 40-1B/1.25-2A
• 品牌：西門子
• 用途：工控

1485A-C2

1492-IFM40D24-3

其間2013年Cree開宣布6英寸SiC單晶產(chǎn)品，其微管密度低于1個(gè)/cm2;多家公司研宣布厚度逾越250μm的SiC外延材料樣品，并批量供給中低壓器件用SiC外延材料產(chǎn)品。在SiC器件方面，世界上報(bào)道了10kV~15kV/10A~20A的SiCMOSFET、逾越20kV的SiC功率二極管和SiCIGBT芯片樣品。Cree和Rohm公司開發(fā)了SiCMOSFET產(chǎn)品，電壓等級(jí)從650V~1700V，單芯片電流逾越50A，并開宣布1200V/300A、1700V/225A的全碳化硅功率模塊產(chǎn)品。GaN是另一種重要的寬禁帶半導(dǎo)體材料。它具有共同的異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)和二維電子氣，在此基礎(chǔ)上研制的高電子遷移率晶體管(HEMT)是一種平面型器件。

1492-PBC1

1492-PD3141

占有全球每年約50億美元的商場(chǎng)，帶動(dòng)了高達(dá)幾百億美元的電力電子設(shè)備商場(chǎng)。在中小功率領(lǐng)域(900V以下)，功率MOSFET是運(yùn)用廣泛的電力電子器件，也是現(xiàn)在商場(chǎng)容量大、需求增長(zhǎng)快的器件，其間以超級(jí)結(jié)為代表的新結(jié)構(gòu)器件是該器件的重要開展方向。從上世紀(jì)90年始，技術(shù)搶先國(guó)家和世界大型企業(yè)紛亂投入到以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的寬禁帶半導(dǎo)體器件的研制和工業(yè)化中，對(duì)SiC材料、器件、封裝、運(yùn)用的全工業(yè)鏈進(jìn)行了重點(diǎn)投入和系統(tǒng)布局，全力搶占該技術(shù)與工業(yè)的戰(zhàn)略制高點(diǎn)和世界商場(chǎng)。SiC是現(xiàn)在開展老練的寬禁帶半導(dǎo)體材料，現(xiàn)已形成了全球的材料、器件和運(yùn)用工業(yè)鏈。SiC材料方面的企業(yè)以Cree、II-VI、DowCorning等為代表。

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